Добавлено (28.08.2022, 00:19:58)
---------------------------------------------
Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.27 nC

Время нарастания (tr): 28.4 ns

Выходная емкость (Cd): 62.7 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.15 Ohm