Нужен даташит
matrix2009
Дата: Пятница, 19.11.2021, 13:10:54 | Сообщение # 1
Автор темы
Участники
Здравствуйте, помогите найти даташит и правильную маркировку китайца 70n65f. Везде бьётся по разному. Установлен в солнечном инверторе на шине постоянного тока.
Скачать файл можно после регистрации регистрация | вход
rashid123
Дата: Пятница, 19.11.2021, 13:41:58 | Сообщение # 2
Забаненные
mister_yoshka
Дата: Пятница, 19.11.2021, 13:50:20 | Сообщение # 3
Участники
должно быть MOSFET – Power,N-Channel,650 V, 44 A, 70 mДобавлено (19.11.2021, 13:51:13) --------------------------------------------- но не уверен
foxter-x
Дата: Пятница, 19.11.2021, 13:53:36 | Сообщение # 4
Участники
matrix2009
Дата: Пятница, 19.11.2021, 14:38:32 | Сообщение # 5 | Отредактировал: matrix2009 - Пятница, 19.11.2021, 14:43:57
Автор темы
Участники
machenist
Дата: Пятница, 19.11.2021, 15:40:48 | Сообщение # 6
Участники
Цитата foxter-x (
)
на сайте производителя нет такого.
foxter-x , ну... как бы нет , и как бы - есть шифруются SGT70N65FDL1P7 = SGT70N65FDM1 (в миру 70N65FDM1) получаем IGBT 70А 650V
Скачать файл можно после регистрации регистрация | вход
foxter-x
Дата: Пятница, 19.11.2021, 15:51:10 | Сообщение # 7
Участники
machenist , Я искал поиском на сайте, там ничего не нашлось. А каталог с сайта?
machenist
Дата: Пятница, 19.11.2021, 16:09:46 | Сообщение # 8
Участники
machenist
Дата: Пятница, 19.11.2021, 16:29:00 | Сообщение # 9 | Отредактировал: machenist - Пятница, 19.11.2021, 17:15:28
Участники
Скачать файл можно после регистрации регистрация | вход
matrix2009
Дата: Пятница, 19.11.2021, 20:23:27 | Сообщение # 10 | Отредактировал: matrix2009 - Пятница, 19.11.2021, 20:29:00
Автор темы
Участники
Благодарю за помощь! Весь мозг с утра сломал пока не создал тему тут Задолбали китайцы шифровать свои творения.
kvasov
Дата: Суббота, 23.03.2024, 19:15:24 | Сообщение # 12
Участники
Наименование: SGT70N65FDM1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode Маркировка: 70N65FDM1 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 321 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 140 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150 Время нарастания типовое (tr), nS: 171 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 294 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 189 Тип корпуса: TO247